电源和电流教学设计

一：怎样产生交变电流教学设计 doc

教材分析

1、交流与直流有许多相似之处，也有许多不同之处．学习中我们特别要注意的是交流与直流的不同之处，即交流电的特殊之处．这既是学习、了解交流电的关键，也是学习、研究新知识的重要方法．在与已知的知识做对比中学习和掌握新知识特点的方法，是物理课学习中很有效和很常用的方法．

在学习交变电流之前，应帮助学生理解直流电和交流电的区别．其区别的关键是电流方向是否随时间变化．同时给出了恒定电流的定义——大小和方向均不随时间变化．

2、对于交变电流的产生，课本采取由感性到理性，由定性到定量，逐步深入的讲述方法．为了有利于学生理解和掌握，教学中要尽可能用示波器或模型配合讲解．教学中应注意让学生观察教材中的线圈通过4个特殊位置时电表指针的变化情况，分析电动势和电流方向的变化，使学生对线圈转动一周中电动势和电流的变化有比较清楚的了解．有条件的，还可以要求学生运用已学过的知识，自己进行分析和判断．

3、用图像表示交变电流的变化规律，是一种重要方法，它形象、直观、学生易于接受．要注意在学生已有的图像知识的基础上，较好地掌握这种表述方法．更要让学生知道，交变电流有许多种，正弦电流只是其中简单的一种．课本中用图示的方法介绍了常见的几种，以开阔学生思路，但不要求引伸．

4、在这一节中学生要第一次接受许多新名词，如交变电流、正弦电流、中性面、瞬时回值、最大值（以及下一节的有效值）等等．要让学生明白这些名词的准确含义．特别是对中性面的理解，要让学生明确，中性面是指与磁场方向垂直的平面．当线圈位于中性面时，线圈中感应电动势为零，线圈转动过程中通过中性面时，其中感应电动势方向要改变．

5、课本上介绍的交变电流的产生，实际上是正弦交流电的产生．以矩形线框在匀强磁场中匀速转动为模型，以线框通过中性面为计时起点，得到电动势随时间满足正弦变化的交变电流．这里可以明确指出，电动势的最大值由线框的匝数、线框面积、转动角速度和磁感应强度共同决定．

6、课本将线框的位置与产生的电动势的对应起来，意图是帮助学生建立起鲜明的形象，把物理过程和描述它的物理规律对应起来．教师可以通过一些问题的提问，帮助学生理解有关内容，例如，如果在线框转到线框平面与磁感线平行时开始计时，它产生的电动势随时间变化的图像应是什么样的？

7、交流电的有效值、周期等概念的学习重在理解．

交流电的有效值概念是本章的重点，也是难点．课本中的交流电有效值定义特别强调是从使电阻产生热量等效这一方面来定义交流电的有效值的．教材中直接给出了正弦交流电流的有效值与最大值的关系式，但不要求证明，为了让学生更好地理解和熟悉有效值，课本上已经指出，交流电压表和电流表的示数都是有效值，家用电器上的标称也是有效值．

交流电的周期描述交流电的变化快慢．在一个周期时间内，交流电完成一次完全变化．在实际生活中，经常能见到的是交流电的频率．我国民用交流电的频率是50HZ．在一些欧美国家，交流电的频率是60HZ．

8、交流电的最大值、有效值、周期和频率都是描述交流电某一方面的特性，而交流电的图像却可以全面反映某一交流电的情况．所以，要求学生能够从交流电的图像中得到描述交流电的各个物理量．

【教学设计思想】交变电流是生产和生活中最常用到的电流，而正弦式电流又是最简单和最基本的。正弦式电流产生的原理是基于电磁感应的基本规律，所以本章是前一章的延续和发展，是电磁感应现象的具体应用。另一方面，本节知识是全章的理论基础，有着承上启下的作用。本节内容的教学重点是运用电磁感应的基本知识，配合响应的演示实验，分析交变电流的产生过程，认识交变电流的特点及其规律......余下全文>>

二：怎样控制电路优秀教案设计与教学反思

上节课学习了电路的组成和电路连接过程中的可能出现的几种情况，在解决了如何使一个灯亮起来的问题后，进一步深入探讨怎样使两个灯亮起来的问题。本节课从生活中的情景“在房间里需要安装吊灯和壁灯”引入，如何把两只灯接入电路？由学生自己动手动脑把两只灯可能的连接方式找出来，并区分寻找它们的特点，分别命名为串联电路和并联电路.再利用连接好的电路进一步比较两种电路中的电流路径、电灯的工作状况，从而总结出串并联电路的区别，尤其是开关分别在串联电路和并联电路中的不同作用。最后应用前面总结出的串并联的知识来识别实际电路的连接状况。整节课从生活情景出发，最终落脚点还是落在解决生活中的实际问题。

教材分析

教材的地位和作用：《电路连接的基本方式》是在学生学习了简单电路知识以后贯穿于整个电学部分的一个重要内容，是学生学习电学知识的一个基础，如果无法正确连接电路图，后边的学习将无法进行，它对学生认识串联和并联电路的特点，培养学生连接电路的技能有着重要的作用。本节内容是学生在学习了电路的连接方法和学会了画电路图的基础上进一步学习有关电路连接的不同方式——串联和并联。它既是对前一节内容的深入研究，又为学生学习后面的有关内容做了准备。

学情分析

学生在上节刚学习了电路，知道组成电路的元件，也了解了家用电器，但家用电器以及电路的连接方式并不了解，根本不知道串联和并联，对于不善于观察生活的学生来说，更不了解这些家用电器相互的工作情况，所以本节由理论到实际，从纸面到生活，从电路图到实物元件，一步步对学生进行引导，有利于学生对串、并联电路特点的掌握。

教学目标

1、知识与技能：通过实际的独立操作能连接简单的串联电路和并联电路，能根据设计的串联电路图和并联电路图连接实际的电路，同时尽可能自己动手设计一些有应用价值的串、并联电路。能说出生活、生产中采用简单串联或并联的实例。

2、过程与方法：通过探究，实验的方法了解串、并联电路的区别。

3、情感、态度与价值观：能说出生活、生产实际中串联或并联电路的实例，提高观察能力，认识科学技术对社会发展和人类生活的影响。

教学重点和难点

教学重点：知道两种电路的基本特点。

教学难点：串联、并联电路的识别及电路连接的方式的判断和应用。

教学过程

教学环节

教师活动

预设学生行为

设计意图

复习

1、 干电池、发电机、太阳能电池在工作时的能量转化。

2、 洗衣机、电饭锅、电灯在工作时的能量转化。

3、 什么是电路？

学生举手回答，教师给予肯定。

复习巩固，为引入新课作铺垫

引入新课

如果给你一个开关、一个电源、两个小灯泡，你如何连接它们？请画出电路图。

教师指出：这是两种不同的电路，是电路连接的两种基本方式，一种是串联，一种是并联，这节来研究电路连接的基本方式。

学生在练习本设计，并让设计出不同电路图的两个学生板演。

激发学生的兴趣，开拓学生思维

新授

1：串联电路

PPT展示串联和并联的电路图，讲解定义：把元件逐个顺次连接组成的电路叫做串联电路；把元件并列连接组成的电路叫做并联电路。

活动1：桌上现有两个带灯座的小电灯、电池、开关和导线若干，同桌合作，按展示的电路图组成串联电路。

活动2：

a．同桌讨论：沿着电流方向看，电流由正极到负极有几条路可以走？

b．同桌合作，取下一个灯泡，观察另一个灯泡是否发光。

c．同桌合作，改变开关的位置，闭合、断开开关，观察开关的作用是否改变。

讨论：串联电路有哪些特点？

引导：1.有几条电流路径？2.各元件是否相互......余下全文>>

三：电源与mos的配用 10分

不知道。。。

太专业了，天哇

线性电子电路教案

第三章 场效应管

知识要点：

场效应管原理、场效应管的小信号模型及其参数

场效应管是只有一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。有结型场效应三极管JFET(Junction Field Effect Transister)和绝缘栅型场效应三极管IGFET( Insulated Gate Field Effect Transister) 之分。IGFET也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET （Metal Oxide Semiconductor FET）。 1.1

1.1.1

MOS场效应管

MOS场效应管有增强型（Enhancement MOS 或EMOS）和耗尽型(Depletion)MOS或DMOS）两大类，每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。场效应管有三个电极：

D(Drain) 称为漏极，相当双极型三极管的集电极；

G(Gate) 称为栅极，相当于双极型三极管的基极；

S(Source) 称为源极，相当于双极型三极管的发射极。

增强型MOS(EMOS)场效应管

根据图3-1，N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极，一个是漏极D，一个是源极S。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。P型半导体称为衬底，用符号B表示。

图3-1 N 沟道增强型EMOS管结构示意

一、工作原理

1．沟道形成原理

当VGS=0 V时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。

当栅极加有电压时，若0＜VGS＜VGS(th)时，通过栅极和衬底间的电容作用，将靠近栅极下方的P型半导体中的空穴向下方排斥，出现了一薄层负离子的耗尽层。耗尽层中的少子将向表层运动，但数量有限，不足以形成沟道，所以仍然不足以形成漏极电流ID。

进一步增加VGS，当VGS＞VGS(th)时（ VGS(th) 称为开启电压），由于此时的栅极电压已经比较强，在靠近栅极下方的P型半导体表层中聚集较多的电子，可以形成沟道，将漏极和源极沟通。如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流ID。在栅极下方形成的导电沟

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线性电子电路教案

道中的电子，因与P型半导体的载流子空穴极性相反，故称为反型层（inversion layer）。随着VGS的继续增加，ID将不断增加。在VGS=0V时ID=0，只有当VGS＞VGS(th)后才会出现漏极电流，这种MOS管称为增强型MOS管。

转移特性曲线的斜率gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。 gm 的量纲为mA/V，所以gm也称为跨导。

跨导的定义式如下： constDS==VGSDVIgmΔΔ (单位mS)

2． VDS对沟道导电能力的控制

当VGS＞VGS(th)，且固定为某一值时，来分析漏源电压VDS对漏极电流ID的影响。VDS的不同变化对沟道的影响如图3-2所示。根据此图可以有如下关系

VDS=VDG＋VGS= —VGD＋VGS

VGD=VGS—VDS

当VDS为0或较小时，相当VGD＞VGS(th)，沟道呈斜线分布。在紧靠漏极处，沟道达到开启的程度以上，漏源之间有电流通过。

当VDS增加到使VGD=VGS(th)时，相当于VDS增加使漏极处沟道缩减到刚刚开启的情况，称为预夹断，此时的漏极电流ID基本饱和。当VDS增加到VGD>