一：有机金属气相外延法和金属有机物气相沉积法的区别
氢化物气相外延和化学气相沉积的区别 氢化物气相外延氮化镓衬底的制备研究 氮化镓(GaN氢化物汽相外延(HVPE金属有机化学气相沉积(MOCVD自支撑氮化镓(FSGaN
二：针对晶体材料生长的模拟仿真软件？
光伏半导体领域的专业软件业内有很多，我了解到常用有以下几类。
一、PolySim软件-------
改良西门子法多晶硅，该软件主要面向光伏半导体上游企业工程师及相关院所研发人员，可以模拟整个还原过程，进而实现工艺参数优化及反应器设计改进。其模拟计算结果主要包括还原炉产率、单耗、硅转化率、电流参数、气体流量、硅棒中心温度、硅棒表面的气体消耗、气体流动条件及总能耗等参数。
二、CGSim软件-------
可以模拟提拉法（CZ）、液封直拉法（LEC）、蒸汽压力控制提拉法（VCZ），泡生法（Ky），热交换法（HEM）、定向凝固法（DS），布里奇曼法（亦称坩埚下降法）晶体生长过程。软件能够对晶体生长过程的温场、流场、晶体热应力、炉体中的温度分布以及固液界面等等进行分析， CGSim软件包中包含以下几个基本工具：CGSim二维模块、缺陷模块、动态直拉模块、三维流体模块。用View 2D和CGSim Viewer软件工具可以可视化观察模拟结果。
三、VR（Virtual Reactor）系列软件-------
根据生长原理不同，该软件主要有以下版本:
物理气相沉积：
• 生长SiC : VR-PVT SiC™
• 生长AlN : VR-PVT AlN™
• 氢化物气相外延生长: HEpiGaNS™
• 生长GaN
• 生长AlN 、AlGaN和InGaN
• 化学气相沉积
• 生长SiC: VR-CVD SiC™
金属有机气相物理外延：
• MOVPE法生长III-N族晶体: VR NE™
• MOVPE法砷化物和磷化物晶体生长: VR III-V™
四、SimuLED(LEDs与LDs)软件-------
适用于发光二极管与激光二极管，SimuLED软件包包含三个模块，即SiLENSe， SpeCLED和RATRO。
该软件主要用于：
1、 优化和设计LED结构与芯片
2、 模拟LED芯片的IV特性
3、 模拟LED芯片的LOP－I特性
4、 模拟LED芯片的出光率
五、PVcell--------
适用于半导体太阳能电池的模拟优化，不同的偏压的一系列计算可以得到IV特性，转换效率，短路电流，开路电压和填充因子。不同的激发波长一系列计算可以找出IQE和EQE的光谱依赖性。
在给定的电压下，经PVcell模拟计算可以得到以下结果：
电流密度、 功率、 转换效率 ；
能带图、 电势、 电场 ；
载流子和电离的杂质浓度 ；
生成率，复合率 （不同通道） ；
部分的电子和空穴电流密度。
好辛苦的，采纳吧。。。
三：什么是真空气相沉积晶体
定义
MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。
缩写
Metal-organic Chemical Vapor Deposition （金属有机化合物化学气相沉淀。
原理
MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压(10-100Torr)下通H2的冷壁石英(不锈钢)反应室中进行，衬底温度为500-1200℃,用射频感应加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方),H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。
编辑本段概况
系统组成
因为MOCVD生长使用的源是易燃、易爆、毒性很大的物质，并且要生长多组分、大面积、薄层和超薄层异质材料。因此在MOCVD系统的设计思想上，通常要考虑系统密封性，流量、温度控制要精确，组分变换要迅速，系统要紧凑等。不同厂家和研究者所产生或组装的MOCVD设备是不同的。 一般由 源供给系统 、气体输运和流量控制系统、反应室及温度控制系统、尾气处理及安全防护报警系统、自动操作及电控系统。 【源供给系统】 包括Ⅲ族金属有机化合物、V族氢化物及掺杂源的供给。金属有机化合物装在特制的不锈刚的鼓泡器中，由通入的高纯H2携带输运到反应室。为了保证金属有机化合物有恒定的蒸汽压，源瓶置入电子恒温器中，温度控制精度可达0.2℃以下。氢化物一般是经高纯H2稀释到浓度5%一10%后，装入钢瓶中，使用时再用高纯H2稀释到所需浓度后，输运到反应室。掺杂源有两类，一类是金属有机化合物，另一类是氢化物，其输运方法分别与金属有机化合物源和氢化物源的输运相同。 【气体输运系统】 气体的输运管都是不锈钢管道。为了防止存储效应，管内进行了电解抛光。管道的接头用氢弧焊或VCR及Swagelok方式连接，并进行正压检漏及Snoop液体或He泄漏检测，保证反应系统无泄漏是MOCVD设备组装的关键之一。流量是由不同量程、响应时间快、精度高的质量流量计和电磁阀、气动阀等来实现。在 真空系统与反应室之间设有过滤器，以防油污或其它颗粒倒吸到反应室中。为了迅速变化反应室内的反应气体，而且不引起反应室内压力的变化，设置“run”和“vent，，管道。 【反应室和加热系统】 反应室是由石英管和石墨基座组成。为了生长组分均匀、超薄层、异质结构的化合物半导体材料，各生产厂家和研究者在反应室结构的设计上下了很大功夫，设计出了不同结构的反应室。石墨基座是由高纯石墨制成，并包裹SIC层。加热多采用高频感应加热，少数是辐射加热。由热电偶和温度控制器来控制温度，一般温度控制精度可达到0.2℃或更低。 【尾气处理系统】 反应气体经反应室后大部分热分解，但还有部分尚未完全分解，因此尾气不能直接排放到大气中，必须先进行处理，处理方法主要有高温热解炉再一次热分解，再用硅油或高锰酸钾溶液处理;也可以把尾气直接通入装有H2SO4+H2O及装有NaOH溶液的吸滤瓶处理;也有的把尾气通入固体吸附剂中吸附处理，以及用水淋洗尾气等。 【安全保护及报警系统】 为了安全，一般的MOCVD系统还备有高纯从旁路系统，在断电或其它原因引起的不能正常工作时，通入纯N2保护生长的片子或系统内的清洁。在停止生长期间也有常通高纯N2保护系统。 【手动和自动控制系统】 一般MOCVD设备都具有手动和微机自动控制操作两种功能。在控......余下全文>>
四：生产蓝宝石衬底的企业是否同时生产外延片？金属有机物气相外延(MOCVD)和泡生法分别是什么？有什么关联么？
生产蓝宝石衬底的企业暂时没有几个在同时生产外延片，除了向三安光电那样做了外延片之后又往前做衬底片的，因为外延片的资本技术等投入不是一下两下就能搞的定的，像蓝晶四联只做衬底，不做外延，但是四联可以做后道封装，所以大部分的衬底厂家不做外延片。
MOCVD是氮化镓层在蓝宝石衬底片上生长的一种方法，又是因为这样的方法，所以一般又把这种机器叫MOCVD，MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族珐素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。
泡生法是一种蓝宝石晶体的长晶方法，又叫KY（Kyropoulos）法，这种方法是将一根受冷的籽晶与熔体接触，如果界面的温度低于凝固点，则籽晶开始生长，为了使晶体不断长大，就需要逐渐降低熔体的温度，同时旋转晶体，以改善熔体的温度分布。也可以缓慢的（或分阶段的）上提晶体，以扩大散热面。
MOCVD跟泡生法两者没有什么关联，如果非要说联系，那就说泡生法生长的晶体材料的品质问题会在MOCVD外延后有一定的体现。
希望对你有用。
五：2． 网站的地图上都有火龙洞，可是怎么进？好多人都不知道，知道的朋友能不能说一下怎么走法
呃~没去过
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